產業資訊 / Industry

法國斯特拉斯堡大學–通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

這里,報道了關于如何調制石墨烯晶體管的電學性質,這反映了由2D材料和SiO2介電基板之間夾層偶極分子組成的納米厚度層的性質。由于電場處于低溫度,偶極分子中超分子指令程度度部分提高,在晶體管的轉移曲線中出現了滯后現象可以解釋這一現象。用源于相同的族和適當設計的分子與電介質表面相互作用,滯后現象消失。?DFT計算證實,通過外部電場修飾的分子表現出多個能量最小值,這一情況解釋了觀察到的熱穩定電容耦合作用。這項研究表明了設計和開發ad-hoc分子作為介電基板和石墨烯之間的中間層,是一個強有力的工具用于調控2D材料的電學特性。相反,石墨烯可以用作分子層穩定性的指標,通過深入了解偶極分子在電閘效應下的指令動力學。

法國斯特拉斯堡大學--通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

Figure 1.?樣品設計:(a)石墨烯-分子層裝置,(b)傳統裝置的光學照片。

法國斯特拉斯堡大學--通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

Figure 2.(a)分子1,2,3分別在SiO2基板上的N 1s XPS譜,(b)分子1,2,3分別在SiO2基板上的Si 2p XPS譜。

法國斯特拉斯堡大學--通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

Figure 3.?CVD石墨烯轉移到SiO2裝置上的晶體管轉移曲線:(a)樣品轉移到空白SiO2基板上,在室溫下測量,(b-d)基板被QZW分子層覆蓋,此時組成裝置的轉移曲線(分子1,2,3先后向石墨烯轉移)。

法國斯特拉斯堡大學--通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

Figure 4.?石墨烯層在分子1上的阻抗隨著時間的演變圖。

法國斯特拉斯堡大學--通過納米厚度分子層誘導ad hoc靜電來調控石墨烯晶體管

Figure 5.?在施加電場下SiO2上的QZW分子由于旋轉導致偶極子演變。

該研究工作由法國斯特拉斯堡大學的Ather Mahmood等人于2019年發表在Nanoscale期刊上。原文:Tuning graphene transistors through ad hoc electrostatics induced?by a nanometer-thick molecular underlayer(DOI: 10.1039/C9NR06407A)。

本文來自石墨烯雜志,本文觀點不代表利特納米立場,轉載請聯系原作者。

相關新聞

聯系我們

0537-5175979

郵件:info@leadernano.com

工作時間:周一至周五,8:00-17:30,節假日休息

QR code
香港三级片